金属の陰極材料をアーク放電により気化し、アークプラズマによりイオン化 する。基板に負の電圧を印加し、チャンバー内に反応ガスを導入して イオン化した金属と反応ガスにより成膜を行う。特徴として、 成膜した膜中に不純物が入りにくく、イオン化率が高いので良質の膜を 作成できる事、成長速度が速い、などが挙げられる。 SST_Labo's Home Page
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